三星电子和SK海力士加速推进3D DRAM商业化，以克服DRAM物理局限性
【本站】3月13日消息，近日，据韩国半导体业界消息，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人在一次会议上表示，他们将会加速推进3D DRAM商业化，以克服DRAM的物理局限性。他们认为，3D DRAM是半导体产业的未来增长动力。
目前，全球的DRAM巨头们都在推进3D DRAM的商业化进程，但远不及美光公司。据悉，自2019年开始研究3D DRAM的美光公司已经获得了两家韩国公司的两到三倍的专利数量。
在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上，三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示，制造10nm或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战，3D DRAM是克服这种挑战的方法。
而负责SK海力士未来技术研究所的副总经理车善龙也表示，他们将于明年公开3D DRAM的电子特性细节，以确定开发方向。
相比现有的DRAM市场，目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。据了解，随着人工智能应用产品的活跃，对高性能、大容量存储半导体的需求也在不断增加。
据本站了解，三星电子和SK海力士今年实现量产的高端DRAM线宽为12纳米。业界认为，考虑到目前DRAM线宽微缩至1纳米将面临的情况，新型DRAM商品化在3到4年后将会是一种必然，而不是一种方向。
可以预见，随着三星电子和SK海力士开始加速3D DRAM技术的商用化，未来将会有更多厂商推出类似的技术方案和产品，市场竞争将会更加激烈。
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